内蒙古鄂尔多斯电子有限公司

新闻分类

产品分类

热门关键词

联系我们

内蒙古鄂尔多斯电子有限公司

电话:0477-3119792

      0477-3119798

传真:0477-3119793       

联系人:张俊义 (13947735108)
        王耀13924678799(广东)

地址:鄂尔多斯市高新技术产业园区4号厂房

(东莞分公司 地址:广东省东莞市塘厦镇)

网址:www.ordosdz.com

邮箱:erdosdzgs@163.com


国际电力电子器件产业发展状况及趋势

您的当前位置: 首 页 >> 新闻中心 >> 行业新闻

国际电力电子器件产业发展状况及趋势

发布日期:2017-01-26 09:57 来源:http://www.ordosdz.com 点击:

  【内蒙古鄂尔多斯电子有限公司主营SMD功率电感器塑封绕线片式电感器有机实芯电阻器等】半个多世纪以来,伴随着基于硅材料的半导体产业的发展,硅基电力电子器件得到了同步发展,形成了庞大的基于硅基电力电子器件的电力电子产业。

  在超大功率(电压3.3kV以上、容量1~45MW)领域,晶闸管和集成门极换流晶闸管(IGCT)具有巨大的市场。目前,国际上6英寸8.5kV/5kA晶闸管已商品化。瑞士ABB等公司开发了非对称型、逆导型和逆阻型IGCT的产品,研发水平已达到9kV/6kA,商业化产品有4.5kV和6kV两种系列,其中6.5kV/6kA的IGCT产品已经开始供应市场。

  在中大功率领域(电压1200V~6.5kV),IGBT是市场上的主流产品。IGBT器件(包括大功率模块、智能功率模块)已经涵盖了300V~6.5kV的电压和2A~3600A的电流。近年来,以德国英飞凌、瑞士ABB、日本三菱、东芝和富士等为代表的电力电子器件企业开发了先进的IGBT技术和产品,占有全球每年约50亿美元的市场,带动了高达几百亿美元的电力电子设备市场。

  在中小功率领域(900V以下),功率MOSFET是应用Z广泛的电力电子器件,也是目前市场容量Z大、需求增长Z快的器件,其中以超级结为代表的新结构器件是该器件的重要发展方向。

  从上世纪90年代开始,技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体器件的研发和产业化中,对SiC材料、器件、封装、应用的全产业链进行了重点投入和系统布局,全力抢占该技术与产业的战略制高点和国际市场。

  SiC是目前发展Z成熟的宽禁带半导体材料,已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。SiC材料方面的企业以Cree、II-VI、Dow Corning等为代表,其中2013年Cree开发出6英寸SiC单晶产品,其微管密度低于1个/cm2;多家公司研发出厚度超过250μm的SiC外延材料样品,并批量提供中低压器件用SiC外延材料产品。在SiC器件方面,国际上报道了10kV~15kV/10A~20A的SiC MOSFET、超过20kV的SiC功率二极管和SiC IGBT芯片样品。Cree和Rohm公司开发了SiC MOSFET产品,电压等级从650V~1700V,单芯片电流超过50A,并开发出1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模块产品。

  GaN是另一种重要的宽禁带半导体材料。它具有独特的异质结结构和二维电子气,在此基础上研制的高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种平面型器件,可以实现低导通电阻、高开关速度的优良特性。国际上也有团队报道了垂直型的GaN电力电子器件。近年来围绕GaN半导体器件的全球研发投入以及生产规模均快速增长,其中650V以下的平面型HEMT器件已经实现了产业化。

  在电力电子器件的专利方面,2001~2010年期间,全球电力电子器件行业专利申请量处于稳步增段,每年的全球专利申请量都在1500项左右,器件类型以MOSFET和IGBT为主,申请量占比达到 67%。国际上电力电子器件的专利集中于国际大型公司,全球专利申请量居前5位的分别是东芝、NEC、日立、三菱、富士,均是日本公司,欧洲和美国的GE、英飞凌、西门子、ABB等欧美企业也在该领域申请了大量专利。国际上宽禁带电力电子器件专利始于1989年。2011~2015年期间,国际上SiC和GaN器件领域专利申请量增长迅速,据预测将在2025年左右达到峰值。


相关标签:片式电感器

Z近浏览:

在线客服
分享